西安拓奇广汽科技股份有限公司发明专利High-Powersemiconductorlaserandmethodformanufacturingthesame于2016年3月23日获得EP2378616B1的欧洲专利局许可(专利号EP2378616B1)本发明专利明确提出了单孔强大功率半导体激光器结构和设计方法。这是火炬光技术F-mount半导体激光系列产品的核心技术。该系列应用于自主开发的唯一无铟技术,具有高功率、可靠性、客户使用方便等优点,广泛应用于激光泵、激光标记、激光测距、红外照明、科研等多个领域。
火炬光科学技术正式成立以来,一直坚决自主创新,大规模研发,攻克了许多核心技术,取得了许多创造性成果。已经主导了301个专利、166个许可(其中30个中国发明专利、6个外国发明专利),编制了两个半导体激光国家标准。
此次火炬技术发明专利获得欧洲许可,对构建核心技术专利保护网、提高国际市场品牌形象和竞争力具有最重要的意义。
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